碳化矽（SiC）二極管和晶體管是現代電力電子解決方案和創新電力電子解決方案的關鍵組件，旨在實現超高功率密度和傚率。 通過將芯片與功率模塊中的矽功率器件結合，可以實現這些目標。特別是碳化矽二極管，它是進一步擴展 IGBT技術的重要部分。 由於存儲電荷少，所以可以明顯降低現代 IGBT 的導通損耗，因此與相應的純矽基解決方案相比，可以實現更高的開關頻率和/或更高的電流処理能力。