碳化矽MOSFEF
在SiC MOSFET的開發與應用方面，與相同功率等級的IGBT相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，利用其工作特性，可以用於更高的工作頻率，和更高的工作溫度。
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| 零件號 | 規格書 | 電壓 | 電流/抗阻 | 封裝 | 產品狀態 |
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