8月17日，寬帶隙化合物半導體的領導者II-VI公司(Nasdaq: IIVI)宣佈，它完成了一項價值超過1億美元的合同，向東莞市天域半導體科技有限公司提供150毫米的碳化矽基片。交付時間是從本季度開始到2023日曆年年底。
交通基礎設施和工業設備的電氣化正在加速市場向基於第三代或寬帶隙半導體碳化矽(SiC)的電力電子産品過渡。與最先進的矽基器件相比，碳化矽使電力電子器件更小、更高傚，系統級縂擁有成本更低。天域公司是中國最早和最大的SiC外延片制造商之一。該公司已經與II-VI簽訂了一份長期供應合同，以確保150毫米SiC基片的産能，滿足其2023年的需求。