碳化硅（SiC）二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件，旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合，可以实现这些目标。特别是碳化硅二极管，它是进一步扩展 IGBT技术的重要部分。 由于存储电荷少，所以可以明显降低现代 IGBT 的导通损耗，因此与相应的纯硅基解决方案相比，可以实现更高的开关频率和/或更高的电流处理能力。