碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的IGBT相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，利用其工作特性，可以用于更高的工作频率，和更高的工作温度。
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| 零件号 | 规格书 | 电压 | 电流/抗阻 | 封装方式 | 产品状态 |
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