8月17日，宽带隙化合物半导体的领导者II-VI公司(Nasdaq: IIVI)宣布，它完成了一项价值超过1亿美元的合同，向东莞市天域半导体科技有限公司提供150毫米的碳化硅基片。交付时间是从本季度开始到2023日历年年底。

交通基础设施和工业设备的电气化正在加速市场向基于第三代或宽带隙半导体碳化硅(SiC)的电力电子产品过渡。与最先进的硅基器件相比，碳化硅使电力电子器件更小、更高效，系统级总拥有成本更低。天域公司是中国最早和最大的SiC外延片制造商之一。该公司已经与II-VI签订了一份长期供应合同，以确保150毫米SiC基片的产能，满足其2023年的需求。