近期，山东大学与南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理气相传输法实现了近“零螺位错（TSD）”密度和低基平面位错（BPD）密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备，其中螺位错密度为0.55 cm-2，基平面位错密度为202 cm-2。并以“低位错密度 8 英寸导电型碳化硅单晶衬底制备（Fabrication of 8-inch N-type 4H-SiC Single Crystal Substrate with Low Dislocation Density）”为题在《无机材料学报》发表（DOI: 10.15541/jim20230325）。

     研究团队实现了近“零 TSD”和低 BPD 密度的 8 英寸导电型 4H-SiC 单晶衬底制备，8 英寸 SiC 单晶衬底位错缺陷的有效控制，有助于加快国产 8 英寸导电型4H-SiC 衬底的产业化进程，提升市场竞争力。

信息及图片来源：第三代半导体产业技术战略联盟