产品与服务
PRODUCTS AND SERVICES
碳化硅肖特基二极管
碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)
裸晶片
全碳化硅功率模块
混合碳化硅模块
客制规格订制
碳化硅肖特基二极管
肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的半导体器件。肖特基二极管的基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖特基接触层和欧姆接触层。
碳化硅肖特基二极管
碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)
在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的IGBT相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,利用其工作特性,可以用于更高的工作频率,和更高的工作温度。
碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)
裸晶片
通常是大圆片形式(wafer form)或单颗芯片(die form)的形式存在,封装后成为半导体器件、集成电路、或更复杂电路(混合电路)的组成部分。
裸晶片
全碳化硅功率模块
汽车级全碳化硅功率模块是为新能源汽车主逆变器应用需求推出的系列功率模块产品,包括半桥MOSFET模块、三相全桥MOSFET模块、塑封单面散热半桥MOSFET模块等,采用银烧结技术等最新的全碳化硅 MOSFET 设计生产工艺,综合性能达到国际先进水平,通过提升动力系统逆变器的转换效率,进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。
全碳化硅功率模块
混合碳化硅模块
碳化硅(SiC)二极管和晶体管是现代电力电子解决方案和创新电力电子解决方案的关键组件,旨在实现超高功率密度和效率。 通过将芯片与功率模块中的硅功率器件结合,可以实现这些目标。特别是碳化硅二极管,它是进一步扩展 IGBT技术的重要部分。 由于存储电荷少,所以可以明显降低现代 IGBT 的导通损耗,因此与相应的纯硅基解决方案相比,可以实现更高的开关频率和/或更高的电流处理能力。
混合碳化硅模块
客制规格订制
嘉展力芯合作的碳化硅半导体晶圆厂拥有完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产工艺步骤定制. 嘉展力芯可根据客户需求设计650V到3300V不同规格的MOSFET及肖特基二级管。
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应用领域
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新能源车
新能源车
目前我国已逐步跨入新能源汽车时代,为了满足大输出功率的需求,功率半导体器件材料从硅基IGBT转向碳化硅MOSFET,电压平台从400V升级到800V,搭载的功率半导体器件的需求也大幅提升。碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用场景包括:主驱逆变器、OBC(车载充电器)、快速充电桩,以及大功率DC/DC等。其中,碳化硅在800V主电机控制器中应用已是大势所趋
充电桩
充电桩
充电桩也有一些新的技术方向,如大功率化(比如30kW及以上)以实现电动车的快速充电,双向充电功能以实现能量的回馈,更高更宽的输出电压范围(比如200V-750V甚至到1000V)以覆盖各种不同新能源车型电池等等,这些新的技术发展方向也给碳化硅半导体提供了巨大的应用机会。
风力/光伏发电
风力/光伏发电
碳化硅功率器件针对光伏逆变器、不间断电源设备以及风能电机驱动器等大功率模组件的应用进行设计,以达到更小尺寸、更低物料成本以及更高的效率。采用碳化硅基逆变器的平均效率能提高到 97.5%,相当于减少 25% 的逆变器损耗,碳化硅基逆变器在风力发电领域可提高 20%的转换效率。 来源:中国粉体网
高效率电源
高效率电源
碳化硅基功率器件可以提供比硅基功率器件更高的功率转换效率水平,这主要是由于能量损失和反向充电损失显著降低。这导致在开启和关闭阶段需要更多的开关功率和更少的能量。较低的热损失还可以去除冷却系统,从而减少空间、重量和基础设施成本。随着物联网和人工智能应用的不断部署以及向云的迁移,提高能源密集型 IT 基础设施的管理效率将变得越来越重要。
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企业介绍
COMPANY INTRODUCTION

青岛嘉展力芯半导体有限责任公司成立于2021年,公司坐落于青岛嘉展智谷智慧园区,嘉展力芯是一家致力于研发与生产第三代宽禁带半导体功率器件及功率模块的高科技企业,是国内一家拥有车规级碳化硅MOS管、二极管尖端技术的企业,公司通过多年的积累,已拥有深厚的、具有自主知识产权设计和工艺研发的能力,突破了国外大厂在碳化硅技术上的垄断,成为大中华区碳化硅功率半导体行业的优秀企业。

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